9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXGT32N60BD1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXGT32N60BD1参考价格为7.651984美元。IXYS IXGT32N60BD1封装/规格：IGBT 600V 60A 200W TO268。您可以下载IXGT32N60BD1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXGT32N170是IGBT 1700V 75A 350W TO268，包括IXGT32N270系列，它们设计用于管交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-268-3、D3Pak（2引线+接线片）、to-268AA以及标准输入类型，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TO-268，该设备为单配置，该设备最大功率为350W，集电器Ic最大值为75A，集电器-发射极击穿最大值为1700V，IGBT类型为NPT，集电器脉冲Icm为200A，最大Vce Vge Ic为3.3V@15V，32A，开关能量为11mJ（关闭），栅极电荷为155nC，25°C时的Td为45ns/270ns，测试条件为1020V、32A、2.7 Ohm、15V，Pd功耗为350W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为1.7 kV，集电极/发射极饱和电压为2.5 V，25℃时的连续集电极电流为75A，栅极发射极漏电流为100nA，最大栅极发射极电压为+/-20V，连续集电极电压Ic-Max为200A。
IXGT32N170A是IGBT 1700V 32A 350W TO268，包括1700V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以5V@15V、21A Vce运行，单位重量如数据表注释所示，用于0.158733 oz，提供850V、32A、2.7 Ohm、15V、Td等测试条件功能。25°C设计为在46ns/260ns下工作，以及1.5mJ（关断）开关能量，该器件也可以用作TO-268供应商器件包。此外，该系列为IXGT32N170，该设备提供350W最大功率，该设备有一个包装管，包装箱为TO-268-3、D3Pak（2引线+接线片）、TO-268AA，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，最大栅极-发射极电压为20V，输入类型为标准，IGBT类型为NPT，栅极电荷为155nC，集电极脉冲Icm为110A，集电极电流Ic最大值为32A，连续集电极电流最大值为32 A，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO最大值为1700 V，集电极发射极饱和电压为4 V。
带有电路图的IXGT32N170 T&R，包括75A集电器Ic Max，它们设计用于200A集电器脉冲Icm，数据表注释中显示了用于155nC的栅极电荷，该155nC提供IGBT类型的功能，如NPT，输入类型设计用于标准，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作to-268-3，D3Pak（2引线+接线片），TO-268AA包装箱。此外，该封装为Digi-ReelR替代封装，该器件提供350W最大功率，该器件具有供应商器件封装的TO-268，开关能量为11mJ（关断），25°C时的Td为45ns/270ns，测试条件为1020V、32A、2.7 Ohm、15V，Vce on Max Vge Ic为3.3V@15V，32A，电压收集器-发射器击穿最大值为1700V。
