9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FGA25N120ANTU，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FGA25N120ANTU参考价格为11.294美元。onsemi FGA25N120ANTU封装/规格：IGBT 1200V 40A 310W TO3P。您可以下载FGA25N120ANTU英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FGA25N120ANTDTU是IGBT 1200V 50A 312W TO3P，包括管交替包装包装，它们设计用于FGA25N220ANTDTU_NL零件别名，单位重量如数据表注释所示，用于0.225789盎司，具有通孔等安装类型功能，包装箱设计用于to-3P-3、SC-65-3以及标准输入类型，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-3P，该设备为单配置，该设备的最大功率为312W，反向恢复时间trr为350ns，集电器Ic最大值为50A，集电器发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为NPT和沟槽，集电器脉冲Icm为90A，最大Vge Ic上的Vce为2.65V@15V，50A，开关能量为4.1mJ（开），960μJ（关），栅极电荷为200nC，25°C时的Td为50ns/190ns，测试条件为600V，25A，10欧姆，15V，Pd功耗为312 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V，集电极-发射极饱和电压为2V，25℃时的连续集电极电流为50A，栅极-发射极漏电流为+/-250nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V，连续集电极电压Ic-Max为50A。
FGA25N120ANTTU_F109是IGBT 1200V 50A 312W TO3P，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.65V@15V、50A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.225789盎司，提供600V、25A、10欧姆、15V、Td on off 25°C等测试条件功能。设计为在50ns/190ns以及4.1mJ（开）下工作，960μJ（关断）开关能量，该器件也可用作TO-3PN供应商器件包。此外，反向恢复时间trr为350ns，该设备提供312W最大功率，该设备具有管交替包装，包装箱为TO-3P-3，SC-65-3，安装方式为通孔，安装类型为通孔。其最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，最大栅极发射极电压为+/-20V，输入类型为标准型，IGBT类型为NPT和沟槽型，栅极电荷为200nC，集电极脉冲Icm为90A，集电极电流Ic最大值为50A，连续集电极电流最大值为50 A，配置为单级，集电极发射极电压VCEO最大值为1200 V。
FGA25N120ANTD，电路图由FSC制造。FGA25N120ANTD采用TO-3P封装，是IGBT的一部分-单个。
