9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FGL60N100DTU，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FGL60N100DTU参考价格为16.7392美元。onsemi FGL60N100DTU封装/规格：IGBT 1000V 60A 176W TO264。您可以下载FGL60N100DTU英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FGL60N100BNTDTU是IGBT 1000V 60A 180W TO264，包括管封装，它们设计用于FGL60N 100BNTDTU_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.238311盎司，提供通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-264-3、to-264AA以及标准输入类型，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-264，该设备为单配置，该设备的最大功率为180W，反向恢复时间trr为1.2μs，集电器Ic最大值为60A，集电器发射极击穿最大值为1000V，IGBT类型为NPT和沟槽，集电器脉冲Icm为120A，最大Vge Ic上的Vce为2.9V@15V，60A，栅极电荷为275nC，25°C时的Td为140ns/630ns，测试条件为600V、60A、51 Ohm、15V，Pd功耗为180 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1000 V，集电极/发射极饱和电压为1.5 V，25℃时的连续集电极电流为60A，栅极发射极漏电流为+/-500nA，最大栅极发射极电压为+/-25V，持续集电极电流Ic-Max为60A。
FGL60N100BNTD是IGBT 1000V 60A 180W TO264，包括1000V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.9V@15V、60A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.238311 oz，提供600V、60A、51 Ohm、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，与TO-264供应商设备包一样，该设备也可以用作1.2μs反向恢复时间trr。此外，最大功率为180W，该设备提供180 W Pd功耗，该设备具有FGL60N100BNTD_NL零件别名，包装为管状，包装箱为TO-264-3、TO-264AA，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，最大栅极发射极电压为+/-25 V，输入类型为标准型，IGBT类型为NPT和沟槽型，栅极发射极漏电流为+/-500 nA，栅极电荷为275nC，集流器脉冲Icm为120A，集流电流Ic Max为60A，连续集流器电流Ic Max为60 A，25 C时的连续集流电流为60 A，并且配置为单，并且集电极-发射极电压VCEO Max为1000V，并且集极-发射极饱和电压为1.5V。
FGL40N150D，电路图由FSC制造。FGL40N150D采用TO-247封装，是IC芯片的一部分。
