9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT150GN60B2G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT150GN60B2G参考价格为18.45000美元。微芯片技术APT150GN60B2G封装/规格：IGBT 600V 220A 536W SOT227。您可以下载APT150GN60B2G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT150GN120JDQ4是IGBT 1200V 215A 625W SOT227，包括IGBT硅模块产品，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.058219盎司，提供安装类型功能，如螺丝，商标设计用于ISOTOP，以及SOT-227-4，miniBLOC包装箱，该设备也可以用作底盘安装型。此外，供应商设备包为ISOTOPR，该设备以标准输入提供，该设备具有单一配置，最大功率为625W，集电器Ic最大值为215A，集电器-发射极击穿最大值为1200V，集电器截止最大值为300μa，IGBT类型为沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，150A，输入电容Cies Vce为9.5nF@25V，NTC热敏电阻为No，Pd功耗为625 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为1.2 kV，集电极/发射极饱和电压为1.7 V，25 C时的连续集电极电流为215 A，且栅极发射极漏电流为600nA，且最大栅极发射极电压为+/-30V。
APT150GN120J是IGBT 1200V 215A 625W SOT227，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.1V@15V、150A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.058219盎司，提供ISOTOP等商品名称功能，供应商设备包设计为在ISOTOPR中工作，以及IGBT硅模块产品，该设备也可以用作625W最大功率。此外，Pd功耗为625W，该设备采用托盘包装，该设备具有ISOTOP封装盒，NTC热敏电阻为否，安装类型为螺钉，安装类型是底盘安装，其最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，最大栅极发射极电压为+/-30 V，输入电容Cies Vce为9.5nF@25V，输入为标准，IGBT类型为沟槽场阻，栅极发射极泄漏电流为600 nA，集流器Ic最大值为215A，集流管截止电流最大值为100μA，25 C时的连续集流器电流为215 A，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为1.2kV，集电极-发射器饱和电压为1.7V。
APT14M120B是MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247，包括增强通道模式，它们设计为在24 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了15 S中使用的最小正向跨导，提供Id连续漏极电流特性，如14 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，封装外壳为TO-247-3，器件采用卷筒封装，器件具有625 W的Pd功耗，Qg栅极电荷为145 nC，Rds漏极-源极电阻为870 mOhm，上升时间为15 ns，技术为Si，商品名为Power MOS 8，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为85 ns，典型接通延迟时间为26ns，单位重量为1.340411oz，Vds漏极-源极击穿电压为1200V，Vgs栅极-源极电压为30V，第Vgs栅极源极阈值电压为4V。
