AIHD04N60RATMA1
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 8 A 最大功率: 75 W 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥173.43906
-
数量:
- +
- 总计: ¥173.44
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 输入类别 标准
- 反向恢复时长 (trr) -
- 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 集电极击穿电压 600 V
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- IGBT型 场终止沟道
- 安装类别 表面安装
- 最大功率 75 W
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 供应商设备包装 PG-TO252-3
- 最大集电极电流 (Ic) 8 A
- 最大整流电流 (Icm) 12A
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 4A
- 门电荷 27 nC
- 开通/关断延时 (25°C) 14ns/146ns
- 试验条件 400V, 4A, 43欧姆, 15V
- 开关能量 90J (on), 150J (off)
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AIHD04N60RATMA1所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），AIHD04N60RATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AIHD04N60RATMA1价格参考￥173.439063，你可以下载 AIHD04N60RATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AIHD04N60RATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
