9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SGL160N60UFTU，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SGL160N60UFTU参考价格为3.0228美元。onsemi SGL160N60UFTU封装/规格：IGBT 600V 160A 250W TO3PF。您可以下载SGL160N60UFTU英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SGL160N60UFDTU是IGBT 600V 160A 250W TO264，包括管封装，它们设计用于SGL160D60UFDTU_NL零件别名，单位重量如数据表注释所示，用于0.238311盎司，提供通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-264-3、to-264AA以及标准输入类型，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-264，该设备为单配置，该设备的最大功率为250W，反向恢复时间trr为95ns，集电器Ic最大值为160A，集电器发射极击穿最大值为600V，集电器脉冲Icm为300A，最大Vge Ic上的Vce为2.6V@15V，80A，开关能量为2.5mJ（开），1.76mJ（关），栅极电荷为345nC，25°C时的Td为40ns/90ns，测试条件为300V、80A、3.9 Ohm、15V，Pd功耗为250W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为2.1 V，25℃时的连续集电极电流为160A，栅极发射极漏电流为+/-100nA，最大栅极发射极电压为+/-20V，连续集电极电压Ic-Max为160A。
SGL08G72B1BE2MT-CCRT带有用户指南，包括1333MT/s速度，设计用于244 MiniUDIMM封装盒，数据表说明中显示了内存类型，用于DDR3 SDRAM，提供8GB等内存大小功能。
SGL160N60UFD是由FAIRCHILD制造的IGBT 600V 160A 250W TO264。SGL160N60UFD提供TO-264-3、TO-264AA封装，是IGBT的一部分-单体，支持600V 160A 250W TO264。
