起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 14.05122 | 14.05122 |
| 10+ | 12.60264 | 126.02646 |
| 100+ | 10.12847 | 1012.84710 |
| 500+ | 8.32165 | 4160.82900 |
| 1000+ | 8.26994 | 8269.94300 |
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
Infineon的600 V，15 A单TRENCHSTOP™ TO220封装中的IGBT3由于沟槽单元和场阻概念的结合，导致器件的静态和动态性能显著提高。IGBT与软恢复发射极控制二极管的组合进一步减小了导通损耗。由于开关损耗和传导损耗之间的最佳折衷，达到了最高效率。
潜在应用
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IGP10N60TATMA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE | ¥4.85274 |
 | IGP01N120H2 | 英飞凌 (Infineon) | 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 3.2 A 最大功率: 28 W 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.9836 |
 | IGP20N65H5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥8.81244 |
| IGP20N65F5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥18.55969 |
| IGP30N65H5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥23.34148 |
| IGP10N60T | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥14.51355 |
| IGP15N60T | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥16.5734 |
| IGP06N60T | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥6.22093 |
| IGP40N65F5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥28.12328 |
| IGP30N65F5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥13.96576 |
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
