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RJP60F0DPE-00#J3，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于SC-83封装盒，数据表说明中显示了标准中使用的输入类型，该标准提供了表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于4-LDPAK以及122W最大功率，该设备还可以用作50A集流器Ic Max。此外，集电极-发射极击穿最大值为600V，该器件为沟槽IGBT型，该器件在15V时具有1.82V，最大Vge Ic上的Vce为25A，25°C下的Td为46ns/70ns，测试条件为400V、30A、5欧姆、15V。
RJP60F4DPM-00#T1是IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在1.82V@15V、30A Vce on Max Vge Ic下运行，测试条件如数据表注释所示，用于400V、30A、5 Ohm、15V，提供Td开-关25°C特性，如45ns/70ns，供应商设备包设计用于TO-3PFM，以及41.2W最大功率，该设备也可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-3PFM，SC-93-3，该器件为通孔安装型，该器件具有输入型标准，IGBT类型为沟槽型，集流器Ic Max为60A。
RJP60D0DPP-M0#T2是IGBT 600V 45A 35W TO-220FL，包括45A集流器Ic Max，它们设计用于45nC栅极充电，输入类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于TO-220-3全封装，以及管封装，该设备也可以用作35W最大功率。此外，供应商的设备包为TO-220FL，该设备在25°C下的35ns/90ns Td下提供，该设备具有300V、22A、5欧姆、15V的测试条件，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V，22A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
RJP60F0DPM-00#T1是IGBT 600V 50A 40W TO-3PFM，包括管封装，它们设计为与沟槽IGBT型一起工作，封装盒如数据表注释所示，用于TO-3PFMA，SC-93-3，提供供应商设备封装功能，如TO-3PFM，安装型设计为在通孔中工作，以及标准输入型，该设备还可以用作600V电压收集器-发射器击穿最大值。此外，电流收集器Ic最大值为50A，该设备在25°C时的开/关温度为46ns/70ns Td，该设备的最大功率为40W，测试条件为400V、30A、5 Ohm、15V，最大Vge Ic上的Vce为1.82V@15V、25A。
