英飞凌的一系列IGBT晶体管,集电极-发射极电压额定值为600和650V,采用TrenchStop™ 技术该系列包括具有集成高速、快速恢复反并联二极管的器件。
•集电极-发射极电压范围600至650V
•非常低的VCEsat
•低关断损耗
•短尾电流
•低EMI
•最高结温175°C
特色
- 与上一代相比,最低V CE(sat)和优化E off可将损耗降低30%
- 650V闭锁电压
- 支持硬切换
- 一流的效率,降低结温和外壳温度,提高器件可靠性
- 50V更高电压可提高可靠性
- 在开关频率高达40kHz的设计中表现出色
应用
- 感应烹饪炉
- 倒置微波炉
- 其他谐振开关拓扑