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FGA50S110P

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1100伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 300瓦 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥19.68620
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥19.69
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规格参数

  • 输入类别 标准
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 安装类别 通孔
  • 部件状态 过时的
  • 开关能量 -
  • 开通/关断延时 (25°C) -
  • 试验条件 -
  • 包装/外壳 至3P-3,SC-65-3
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 最大整流电流 (Icm) 120 A
  • 供应商设备包装 TO-3PN
  • 最大功率 300瓦
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 最大集电极电流 (Ic) 50 A
  • 集电极击穿电压 1100伏
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.6V @ 15V, 50A
  • 门电荷 195 nC

FGA50S110P 产品详情

Fairchild的短阳极沟槽IGBT采用先进的场阻沟槽和短阳极技术,为开关应用提供了优异的传导和开关性能。该设备适用于电磁炉和微波炉。

特色

  • 用于软开关应用的本征反并联二极管
  • 高开关频率范围10 kHz至50kHz
  • 高温稳定性能(Tjmax=175oC)
  • 低饱和压降:VCE(sat)=2.06 V@IC=50 A
  • 鲁棒的罐检测噪声抗扰度
  • 符合RoHS(无铅电镀)
FGA50S110P所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),FGA50S110P 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FGA50S110P价格参考¥19.686202,你可以下载 FGA50S110P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FGA50S110P规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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