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NGTD13T65F2SWK

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 209

数量 单价 合计
1+ 11.63395 11.63395
200+ 4.50855 901.71060
500+ 4.35091 2175.45550
1000+ 4.26683 4266.83600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥11.63396
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥942.29
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 开关能量 -
  • 开通/关断延时 (25°C) -
  • 试验条件 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 最大集电极电流 (Ic) -
  • 最大功率 -
  • 门电荷 -
  • IGBT型 场终止沟道
  • 最大整流电流 (Icm) 120 A
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.2V @ 15V, 30A
  • 包装/外壳 晶粒
  • 供应商设备包装 Die
NGTD13T65F2SWK所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),NGTD13T65F2SWK 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NGTD13T65F2SWK价格参考¥11.633959,你可以下载 NGTD13T65F2SWK中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NGTD13T65F2SWK规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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