FGA25N120ANTDTU-1200 V，25 A NPT沟槽式IGBT FGA25N1 20ANTDTu 1200 V，25A NPT沟槽IGBT功能•NPT沟槽技术，正温度系数•低饱和电压：VCE（sat），典型值=2.0 V@IC=25 A，TC=25°C•低开关损耗：Eoff，典型值=0.96 mJ@IC=25A，TC=25°C•极强雪崩能力应用•感应加热，微波炉2014年4月描述1200V NPT IGBT采用Fairchild专有的沟槽设计和先进的NPT技术，具有卓越的传导和开关性能、高雪崩强度和易于并行操作。该设备非常适合谐振或软开关应用，如感应加热、微波炉。GCE TO-3P绝对最大额定值符号VCES VGES IC ICM（1）IF IFM PD TJ Tstg TL描述集电极-发射极电压门发射极电压集电极电流集电极电流脉冲集电极电流@TC=25°C@TC=100°C二极管电流
FGA25N120ANTDTU-1200 V，25 A NPT沟槽式IGBT FGA25N1 20ANTDTu 1200 V，25A NPT沟槽IGBT功能•NPT沟槽技术，正温度系数•低饱和电压：VCE（sat），典型值=2.0 V@IC=25 A，TC=25°C•低开关损耗：Eoff，典型值=0.96 mJ@IC=25A，TC=25°C•极强雪崩能力应用•感应加热，微波炉2014年4月描述1200V NPT IGBT采用Fairchild专有的沟槽设计和先进的NPT技术，具有卓越的传导和开关性能、高雪崩强度和易于并行操作。该设备非常适合谐振或软开关应用，如感应加热、微波炉。GCE TO-3P绝对最大额定值符号VCES VGES IC ICM（1）IF IFM PD TJ Tstg TL描述集电极-发射极电压门发射极电压集电极电流集电极电流脉冲集电极电流@TC=25°C@TC=100°C二极管电流
特色
- 集电极-发射极电压VCES为1.2KV
- 25°C时的集电极电流为50A
- 25°C时二极管的连续正向电流为50A
- 工作结温度范围为-55°C至150°C
- 25°C时的最大功耗为312W
- 集电极到发射极的饱和电压在IC=50 A时为2.65V
- IF=25A时，最大二极管正向电压为3V
- 二极管峰值反向恢复电流为40A
应用
- 家用电器
