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BiMOSFET是一种器件，具有MOSFET和IGBT的综合优势。非外延结构和新的制造工艺被用于使BiMOSFET获得巨大成功。由于其饱和电压和本征二极管的正向压降的正电压温度系数，这些高压器件非常适合并联操作。此外，该“自由”本征体二极管充当保护二极管，在设备关闭期间为感应负载电流提供替代路径，防止高Ldi/dt电压瞬变对设备造成损坏。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IXBOD1-23R | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 技术: 混合技术 供应商设备包装: BOD 安装类别: 通孔 电线数量: three | ¥408.42713 |
 | IXBOD1-09 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 技术: 混合技术 供应商设备包装: FP-Case 安装类别: 通孔 电线数量: one | ¥107.91921 |
 | IXBOD1-08 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 技术: 混合技术 供应商设备包装: FP-Case 安装类别: 通孔 电线数量: one | ¥107.91921 |
 | IXBOD1-10 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 技术: 混合技术 供应商设备包装: FP-Case 安装类别: 通孔 电线数量: one | ¥107.91921 |
 | IXBOD1-15R | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 技术: 混合技术 供应商设备包装: BOD 安装类别: 通孔 电线数量: two | ¥343.53075 |
| IXBOD1-24R | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 技术: 混合技术 供应商设备包装: BOD 安装类别: 通孔 电线数量: three | ¥408.42713 |
| IXBOD1-30R | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 技术: 混合技术 供应商设备包装: BOD 安装类别: 通孔 电线数量: three | ¥408.42713 |
| IXBOD1-18RD | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 技术: 混合技术 供应商设备包装: BOD 安装类别: 通孔 电线数量: two | ¥426.38952 |
| IXBOD1-14R | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 技术: 混合技术 供应商设备包装: BOD 安装类别: 通孔 电线数量: two | ¥320.48746 |
| IXBOD2-32RD | 艾赛斯.力特 (IXYS) | POWER DIODE DISCRETES-OTHERS BOD | ¥435.91394 |
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