9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXGT12N120A2D1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXGT12N120A2D1参考价格为15.72美元。IXYS IXGT12N120A2D1封装/规格：IGBT 1200V TO268。您可以下载IXGT12N120A2D1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXGT10N170A是IGBT 1700V 10A 140W TO268，包括IXGT10N1 70系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-268-3、D3Pak（2引线+接线片）、to-268AA以及标准输入类型，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TO-268，该设备为单配置，该设备最大功率为140W，集电器Ic最大值为10A，集电器-发射极击穿最大值为1700V，IGBT类型为NPT，集电器脉冲Icm为20A，最大Vce Vge Ic为6V@15V，5A，开关能量为380μJ（关断），栅极电荷为29nc，25°C时的Td为46ns/190ns，测试条件为850V、10A、22欧姆、15V，Pd功耗为140 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1.7 kV，集电极/发射极饱和电压为4.5 V，25℃时的连续集电极电流为10A，栅极-发射极漏电流为100nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V，连续集电极电压Ic-Max为20A。
IXGT10N170是IGBT 1700V 20A 110W TO268，包括1700V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在4V@15V、10A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.158733 oz，提供供应商设备包功能，如to-268，该器件也可以用作110W Pd功率耗散。此外，封装为管式，该器件提供TO-268-3、D3Pak（2引线+接线片）、TO-268AA封装盒，该器件具有安装型SMD/SMT，安装类型为表面安装，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，最大栅极-发射极电压为+/-20 V，输入类型为标准，IGBT类型为NPT，栅极-发射极漏电流为100nA，栅极电荷为32nC，集电极脉冲Icm为70A，集电极Ic Max为20A，连续集电极电流Ic Max是70A，25℃时的连续集电极电压为20A，集电极-发射极饱和电压为2.7V。
IXGR80N60B是IGBT 600V ISOPLUS247，包括标准输入型，设计用于通孔安装型，数据表注释中显示了用于ISOPLUS147？的包装箱？，提供包装功能，如Tube，系列设计用于IXGR80N60以及ISOPLUS247？供应商设备包，该设备也可以用作600V电压收集器发射器最大击穿电压。
