9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT65GP60L2DQ2G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT65GP60L2DQ2G参考价格为20.16000美元。微芯片技术APT65GP60L2DQ2G封装/规格：IGBT 600V 198A 833W TO264。您可以下载APT65GP60L2DQ2G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APT65GP60B2G是IGBT 600V 100A 833W TMAX，包括POWER MOS 7R系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式特征，封装盒设计用于to-247-3变体，以及标准输入型，该装置也可以用作通孔安装型。此外，功率最大值为833W，该器件提供100A集流器Ic Max，该器件具有600V集流器-发射极击穿最大值，IGBT类型为PT，集流器脉冲Icm为250A，最大Vce Vge Ic为2.7V@15V，65A，开关能量为605μJ（开），896μJ（关），栅极电荷为210nC，25°C的Td为30ns/91ns，测试条件为400V、65A、5 Ohm、15V。
APT65GP60J是IGBT 600V 130A 431W SOT227，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.7V@15V、65A Vce on Max Vge Ic下工作。供应商设备包如数据表说明所示，用于ISOTOPR，提供POWER MOS 7R等系列功能，功率最大值设计为431W，以及SOT-227-4、miniBLOC封装外壳，该器件也可以用作无NTC热敏电阻。此外，安装类型为底盘安装，该设备提供7.4nF@25V输入电容Cies Vce，该设备具有输入标准，IGBT类型为PT，集电器Ic最大值为130A，集电器截止值最大值为1mA，配置为单一。
APT65GP60JDQ2是由APT制造的IGBT模块绝缘栅双极晶体管-PT功率MOS 7-Combi。APT65GG60JDQ2是模块封装中的一部分，并支持IGBT模块绝缘栅极双极晶体管-PT-功率MOS 7-comi。
