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APT25GP90BG是IGBT 900V 72A 417W TO247，包括POWER MOS 7R系列，它们设计用于管式封装，数据表说明中显示了用于to-247-3的封装盒，该封装盒提供标准输入类型功能，安装类型设计用于通孔，以及to-247[B]供应商设备包，该设备也可以用作417W最大功率。此外，集电器Ic最大值为72A，该器件提供900V电压集电器发射极击穿最大值，该器件具有IGBT型PT，集电器脉冲Icm为110A，最大Vge Ic上的Vce为3.9V@15V，25A，开关能量为370μJ（关断），栅极电荷为110nC，25°C下的Td为13ns/55ns，测试条件为600V，25A、5欧姆，15V。
APT25GP90BDQ1和APT制造的用户指南。APT25GT90BDQ1以TO-247封装形式提供，是模块的一部分。
APT25GP90BDQ1G，带有APT制造的电路图。APT25GT90BDQ1g可在模块封装中获得，是模块的一部分，IGBT PT 900V 72A 417W通孔TO-247[B]，Trans IGBT芯片N-CH 900V 72B 417000mW 3引脚（3+Tab）TO-247，IGBT晶体管绝缘栅双极晶体管-PT功率MOS 7-Combi。
