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FGA30N60LSDTU
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FGA30N60LSDTU

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 17.87657 17.87657
10+ 15.63805 156.38058
30+ 14.24030 427.20906
100+ 12.81101 1281.10170
500+ 12.15943 6079.71550
1000+ 11.88618 11886.18600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥17.87657
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥17.88
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规格参数

  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 部件状态 过时的
  • 最大功率 480瓦
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 至3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备包装 TO-3P
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 最大集电极电流 (Ic) 60 A
  • IGBT型 场终止沟道
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 最大整流电流 (Icm) 90 A
  • 反向恢复时长 (trr) 35纳秒
  • 门电荷 225 nC
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.4V@15V,30A
  • 开关能量 1.1mJ(开),21mJ(关)
  • 开通/关断延时 (25°C) 18ns/250ns
  • 试验条件 400V, 30A, 6.8欧姆, 15V

FGA30N60LSDTU 产品详情

FGA30N60LSDTU所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),FGA30N60LSDTU 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FGA30N60LSDTU价格参考¥17.876571,你可以下载 FGA30N60LSDTU中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FGA30N60LSDTU规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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