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IXSH50N60B是IGBT 600V 75A 250W TO247,包括管封装,它们设计用于to-247-3封装盒,输入类型如数据表注释所示,用于标准,提供安装类型功能,如通孔,供应商设备封装设计用于to-24 7AD(IXSH),以及250W最大功率,该器件还可以用作75A集流器Ic最大值。此外,集流器-发射极击穿最大值为600V,该器件为PT IGBT型,该器件具有200A集流脉冲Icm,最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V,50A,开关能量为3.3mJ(关),栅极电荷为167nC,25°C下的Td为70ns/150ns,测试条件为480V,50A,2.7欧姆,15V。
IXSH45N120是IGBT 1200V 75A 300W TO247AD,包括1200V集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在最大Vge Ic上以3V@15V、45A Vce运行,测试条件如数据表注释所示,用于960V、45V、2.7 Ohm、15V,提供Td开-关25°C功能,如80ns/400ns,开关能量设计为21mJ(关)工作,除了TO-247AD(IXSH)供应商设备包外,该设备还可以用作300W最大功率。此外,该设备的包装为管式,该设备采用TO-247-3封装盒,该设备具有安装型通孔,输入型为标准型,栅极电荷为150nC,集电器脉冲Icm为180A,集电体Ic最大值为75A。
IXSH45N120B是IGBT 1200V 75A 300W TO247,包括75A集流器Ic Max,它们设计用于180A集流脉冲Icm,栅极电荷显示在数据表注释中,用于120nC,提供IGBT类型的功能,如PT,输入类型设计用于标准,以及通孔安装类型,该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外,包装为管式,该设备提供300W最大功率,该设备具有供应商设备包的TO-247AD(IXSH),开关能量为13mJ(关),25°C时的Td为36ns/360ns,测试条件为960V、45A、5 Ohm、15V,最大Vge Ic上的Vce为3V@15V、45V,集电极-发射极击穿最大值为1200V。