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FGH40T65SQD_F155

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 238 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥26.21930
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥26.22
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 门电荷 80 nC
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 最大集电极电流 (Ic) 80 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 40A
  • 最大整流电流 (Icm) 160 A
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 最大功率 238 W
  • 反向恢复时长 (trr) 31.8 ns
  • 供应商设备包装 TO-247-3
  • 开关能量 138J (on), 52J (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 16.4ns/86.4ns
  • 试验条件 400V, 10A, 6欧姆, 15V

FGH40T65SQD_F155 产品详情

ON Semiconductor能源基础设施解决方案解决了能源生产、分配和存储领域的问题,这些领域正在迅速发展,以实现政府政策设定的目标和增加的消费。提高效率目标、减少二氧化碳排放以及关注可再生能源和清洁能源是能源基础设施发展的关键因素。ON Semiconductor提供全面的节能解决方案组合,以满足高功率应用的需求,包括碳化硅(SiC)二极管、智能功率模块和电流传感放大器。

特色

  • 最高结温:TJ=175°C
  • 正温度系数,便于并联操作
  • 高电流能力
  • 低饱和电压:VCE(sat)=1.33 V(典型值)@IC=40 A
  • 100%的部件经过ILM测试(1)
  • 高输入阻抗
  • 拧紧参数分布
  • 符合RoHS
  • 软开关应用的低传导损耗设计

应用

  • 感应加热应用
  • 微波炉
FGH40T65SQD_F155所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),FGH40T65SQD_F155 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FGH40T65SQD_F155价格参考¥26.219298,你可以下载 FGH40T65SQD_F155中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FGH40T65SQD_F155规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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