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GT50J121(Q)

  • 描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 240瓦 供应商设备包装: TO-3P(LH) 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥21.23618
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥21.24
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规格参数

  • IGBT型 -
  • 输入类别 标准
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 安装类别 通孔
  • 部件状态 过时的
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 最大整流电流 (Icm) 100 A
  • 门电荷 -
  • 最大集电极电流 (Ic) 50 A
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.45V @ 15V, 50A
  • 最大功率 240瓦
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 开通/关断延时 (25°C) 90ns/300ns
  • 包装/外壳 至3PL
  • 供应商设备包装 TO-3P(LH)
  • 开关能量 1.3mJ(开),1.34mJ(关)
  • 试验条件 300V, 50A, 13欧姆, 15V

GT50J121(Q) 产品详情

离散IGBT(PDF:875KB)2011年3月:
http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429

*gt30克124

-击穿电压VCES(V)@Ta=25C:430V

-IGBT额定电流IC(A)@Ta=25C:200A


*GT30J124型

-Ta=25C时的击穿电压VCES(V):600V

-IGBT额定电流IC(A)@Ta=25C:200A

特色

应用和:等离子显示面板

GT50J121(Q)所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),GT50J121(Q) 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。GT50J121(Q)价格参考¥21.236183,你可以下载 GT50J121(Q)中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询GT50J121(Q)规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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