离散IGBT(PDF:875KB)2011年3月:
http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429
*gt30克124
-击穿电压VCES(V)@Ta=25C:430V
-IGBT额定电流IC(A)@Ta=25C:200A
*GT30J124型
-Ta=25C时的击穿电压VCES(V):600V
-IGBT额定电流IC(A)@Ta=25C:200A
特色
应用和:等离子显示面板
起订量: 1
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
离散IGBT(PDF:875KB)2011年3月:
http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429
*gt30克124
-击穿电压VCES(V)@Ta=25C:430V
-IGBT额定电流IC(A)@Ta=25C:200A
*GT30J124型
-Ta=25C时的击穿电压VCES(V):600V
-IGBT额定电流IC(A)@Ta=25C:200A
应用和:等离子显示面板
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。