9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NGTB15N120IHWG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NGTB15N120IHWG价格参考1.60000美元。onsemi NGTB15N120IHWG封装/规格：IGBT 15A 1200V TO-247。您可以下载NGTB15N120IHWG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如NGTB15N120IHWG价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
NGTB10N60R2DT4G，带引脚细节，包括Digi-ReelR替代包装包装，设计用于0.012346盎司单位重量的操作，安装类型如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63等封装盒功能，输入类型设计用于标准，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作DPAK供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为72W，该设备具有90ns的反向恢复时间trr，集电极Ic最大值为20A，集电极-发射极击穿最大值为600V，集电极脉冲Icm为40A，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，10A，开关能量为412μJ（开），140μJ（关），栅极电荷为53nC，25°C时的Td为48ns/120ns，测试条件为300V、10A、30Ohm、15V，Pd功耗为72W，最大工作温度范围为+175 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.7 V，25 C时的连续集电极电流为20 A，栅极-发射极漏电流为+/-100 nA，并且最大栅极-发射极电压为+/-20V，并且连续集电极电流Ic-Max为10A。
NGTB15N120FLWG是IGBT 1200V 15A TO247-3，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.2V@15V、15A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281 oz，提供600V、15A、10 Ohm、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，550μJ（关断）开关能量，该装置也可用作TO-247供应商装置包。此外，该系列为NGTB15N120FL，该设备提供166ns反向恢复时间trr，该设备的最大功率为156W，Pd功耗为156W；包装为管，包装箱为TO-247-3，安装方式为通孔，安装类型为通孔；其最低工作温度范围为-55℃，它的最大工作温度范围为+150℃，最大栅极发射极电压为20 V，输入类型为标准，栅极发射极漏电流为100 nA，栅极电荷为150nC，集流器脉冲Icm为120A，集流电流Ic最大值为30A，25℃时的连续集流器电流为30 A，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为1200V，集电极-发射器饱和电压为2V。
带有电路图的NGTB15N120FL2WG，包括30A集流器Ic Max，它们设计为与60A集流脉冲Icm一起工作，数据表注释中显示了用于109nC的栅极电荷，该109nC提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入类型设计为标准工作，以及通孔安装类型，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，包装为管式，设备提供294W最大功率，设备具有110ns的反向恢复时间trr，供应商设备包装为TO-247-3，开关能量为1.2mJ（开），370μJ（关），25°C时的Td为64ns/132ns，测试条件为600V，15A，10 Ohm，15V，Vce on Max Vge Ic为2.4V@15V，15A，电压收集器-发射极击穿最大值为1200V。
