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APT200GN60B2G

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 283 A 最大功率: 682 W 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 微芯 (Microchip)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 30

数量 单价 合计
30+ 179.34630 5380.38900
  • 库存: 0
  • 单价: ¥164.81219
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5,380.39
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 输入类别 标准
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 供应商设备包装 -
  • IGBT型 场终止沟道
  • 制造厂商 微芯 (Microchip)
  • 最大整流电流 (Icm) 600 A
  • 开通/关断延时 (25°C) 50ns/560ns
  • 最大集电极电流 (Ic) 283 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.85V@15V,200A
  • 最大功率 682 W
  • 开关能量 13mJ (on), 11mJ (off)
  • 门电荷 1180 nC
  • 试验条件 400V, 200A, 1欧姆, 15V

APT200GN60B2G 产品详情

APT200GN60B2G所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),APT200GN60B2G 由 微芯 (Microchip) 设计生产,可通过久芯网进行购买。APT200GN60B2G价格参考¥164.812190,你可以下载 APT200GN60B2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询APT200GN60B2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商,为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利...

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