9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXGT30N60B2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXGT30N60B2参考价格$18.299938。IXYS IXGT30N60B2封装/规格：IGBT 600V 70A 190W TO268。您可以下载IXGT30N60B2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXGT30N60B2价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXGT30N120B3D1是IGBT 1200V 300W TO268，包括GenX3？系列，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-268-3、D3Pak（2引线+接线片）、to-268AA以及标准输入类型，该设备也可作为表面安装安装类型。此外，供应商设备包为TO-268，该设备的最大功率为300W，该设备具有100ns的反向恢复时间trr，集电极-发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为PT，集电极脉冲Icm为150A，最大Vge Ic上的Vce为3.5V@15V，30A，开关能量为3.47mJ（开），2.16mJ（关），栅极电荷为87nC，25°C时的Td为16ns/127ns，测试条件为960V、30A、5 Ohm、15V，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V，集电极/发射极饱和电压为3.5 V，连续集电极电流Ic最大值为50 A。
IXGT30N60B是IGBT 600V 60A 200W TO268，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以1.8V@15V、30A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于480V、30V、4.7 Ohm、15V，提供25°C的Td开-关特性，如25ns/130ns，开关能量设计为1.3mJ（关），除了TO-268供应商设备包，该设备还可以用作HiPerFAST？系列此外，最大功率为200W，该设备采用管式封装，该设备具有TO-268-3、D3Pak（2引线+接线片）、TO-268AA封装外壳，安装类型为表面安装，输入类型为标准，栅极电荷为125nC，集电器脉冲Icm为120A，集电器Ic最大值为60A。
IXGT30N120BD1是IGBT 1200V TO268，包括标准输入型，它们设计为与表面安装安装型一起工作。数据表注释中显示了用于to-268-3、D3Pak（2引线+接线片）、to-268AA的封装盒，该封装盒提供了管等封装功能，该装置也可以用作0.158733盎司单位重量。此外，电压收集器发射器击穿最大值为1200V。
