9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRGS4B60KPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRGS4B60KPBF价格参考3.95002美元。Infineon Technologies IRGS4B60KPBF封装/规格：IGBT 600V D2PAK-3。您可以下载IRGS4B60KPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRGS4B60KD1PBF是IGBT 600V 11A 63W D2PAK，包括管交替包装包装，它们设计为在0.009185盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB，输入类型设计为标准工作，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作D2PAK供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为63W，该设备具有93ns的反向恢复时间trr，集电器Ic最大值为11A，集电器发射极击穿最大值为600V，IGBT类型为NPT，集电器脉冲Icm为22A，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V，4A，开关能量为73μJ（开）、47μJ（关），栅极电荷为12nC，25°C时的Td为22ns/100ns，测试条件为400V、4A、100 Ohm、15V，Pd功耗为63W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为2.5 V，25℃时的连续集电极电流为12A，最大栅极-发射极电压为+/-20V，连续集电极电压Ic-Max为11A。
IRGS4B60KD1TRLP是IGBT 600V 11A 63W D2PAK，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.5V@15V、4A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.009185 oz，提供400V、4A、100 Ohm、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，47μJ（关断）开关能量，该装置也可用作D2PAK供应商装置包。此外，反向恢复时间trr为93ns，该设备提供63W最大功率，该设备具有63W Pd功耗，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围为-55℃，它的最大工作温度范围为+175 C，最大栅极发射极电压为+/-20 V，输入类型为标准型，IGBT类型为NPT，栅极发射极漏电流为100 nA，栅极电荷为12nC，集流器脉冲Icm为22A，集流器Ic Max为11A，25 C时的连续集流器电流为11 A，集电极-发射极电压VCEO Max为600V。
IRGS4B60KD1TRRP是IGBT 600V 11A 63W D2PAK，包括600 V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计用于单配置，25 C时的连续集电极电流如数据表注释所示，用于11A，提供11A等集电极Ic Max功能，集电极脉冲Icm设计用于22A，以及12nC栅极充电，该器件也可以用作NPT IGBT型。此外，输入类型为标准型，器件的最大栅极发射极电压为+/-20 V，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为表面安装，安装样式为SMD/SMT，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB、，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，最大功率为63W，反向恢复时间trr为93ns，供应商设备包装为D2PAK，开关能量为73μJ（开），47μJ（关），25°C时的Td为22ns/100ns，测试条件为400V，4A，100 Ohm，15V，单位重量为0.009185 oz，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V，4A，电压收集器-发射极击穿最大值为600V。
IRGS4B60KDTRRP带有由IR制造的EDA/CAD模型。IRGS4B60 KDTRRP以TO-263封装形式提供，是IC芯片的一部分。
