9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NGTB20N120IHWG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NGTB20N120IHWG参考价格为2.22000美元。onsemi NGTB20N120IHWG封装/规格：IGBT 20A 1200V TO-247。您可以下载NGTB20N120IHWG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NGTB15N60R2FG带引脚细节，包括卡套管包装，设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3全包装等包装箱功能，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-220F-3FS供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为54W，该设备具有95ns的反向恢复时间trr，集电极Ic最大值为24A，集电极-发射极击穿最大值为600V，集电极脉冲Icm为60A，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，15A，开关能量为550μJ（开），220μJ（关），栅极电荷为80nC，25°C时的Td为70ns/190ns，测试条件为300V、15A、30 Ohm、15V，Pd功耗为54 W，最大工作温度范围为+175 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.85 V，25 C时的连续集电极电流为24 A，栅极-发射极漏电流为+/-100 nA，并且最大栅极-发射极电压为+/-20V，并且连续集电极电流Ic-Max为14A。
NGTB15N60S1EG是IGBT 600V 30A 117W TO220-3，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.7V@15V、15A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.081130 oz，提供400V、15A、22 Ohm、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，350μJ（关断）开关能量，该装置也可用作TO-220供应商装置包。此外，该系列为NGTB15N60S1，该器件提供270ns反向恢复时间trr，该器件最大功率为117W，Pd功耗为47W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最大栅发射极电压为20V，输入类型为标准，IGBT类型为NPT，栅极-发射极漏电流为100nA，栅极电荷为88nC，集电极脉冲Icm为120A，集电极Ic最大值为30A，25℃时的连续集电极电流为30A；集电极-发射极电压VCEO最大值为600V，集电极-射极饱和电压为1.7V。
NGTB20N120IH，带有ON制造的电路图。NGTB20N220IH采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分。
