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APT30GP60BG是IGBT 600V 100A 463W TO247，包括POWER MOS 7R系列，它们设计用于管式封装，封装盒如数据表注释所示，用于to-247-3，提供标准输入型功能，安装型设计用于通孔，以及to-247[B]供应商设备包，该设备也可以用作463W最大功率。此外，集电器Ic最大值为100A，该设备提供600V电压集电器-发射器击穿最大值，该设备具有IGBT型PT，集电器脉冲Icm为100A；最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，30A，开关能量为260μJ（开），250μJ（关），栅极电荷为90nC，25°C下的Td为13ns/55ns，测试条件为400V，30A，5欧姆，15V。
APT30GP60LDLG是IGBT 600V 100A 463W TO264，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.7V@15V、30A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于400V、30A、5欧姆、15V，提供Td开-关25°C特性，如13ns/55ns，开关能量设计为在260μJ（开）、250μJ（关）下工作，除了TO-264供应商器件封装外，该器件还可以用作463W最大功率。此外，封装为管，该器件提供TO-264-3、TO-264AA封装盒，该器件具有安装型通孔，输入类型为标准型，IGBT类型为PT，栅极电荷为90nC，集电器脉冲Icm为120A，集电器Ic最大值为100A。
APT30GP60JDQ1是IGBT 600V 67A 245W SOT227，包括单一配置，它们设计用于500μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于67A，提供IGBT类型功能，如PT，输入设计用于标准，以及3.2nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为No，该器件采用SOT-227-4 miniBLOC封装盒，该器件最大功率为245W，系列为Power MOS 7R，供应商器件封装为ISOTOPR，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，30A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
