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APT50GP60BG是IGBT 600V 100A 625W TO247，包括POWER MOS 7R系列，它们设计用于管式封装，数据表说明中显示了用于to-247-3的封装盒，该封装盒提供标准输入型功能，安装型设计用于通孔，以及to-247[B]供应商设备包，该设备也可以用作625W最大功率。此外，集电器Ic最大值为100A，该设备提供600V电压集电器-发射器击穿最大值，该设备具有IGBT型PT，集电器脉冲Icm为190A，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，50A，开关能量为465μJ（开），637μJ，栅极电荷为165nC，25°C下的Td为19ns/83ns，测试条件为400V，50A，5欧姆，15V。
APT50GP60J是IGBT 600V 100A 329W SOT227，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.7V@15V、50A Vce on Max Vge Ic下工作。供应商设备包如数据表说明所示，用于ISOTOPR，提供POWER MOS 7R等系列功能，功率最大值设计为329W，以及SOT-227-4、miniBLOC封装外壳，该器件也可以用作无NTC热敏电阻。此外，安装类型为底盘安装，该设备提供5.7nF@25V输入电容Cies Vce，该设备具有输入标准，IGBT类型为PT，集电器Ic最大值为100A，集电器截止值最大值为500μa，配置为单一。
APT50GP60JDQ2是IGBT 600V 100A 329W SOT227，包括单一配置，它们设计用于525μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于100A，提供IGBT类型功能，如PT，输入设计用于标准，以及5.7nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为No，该器件采用SOT-227-4 miniBLOC封装盒，该器件的最大功率为329W，系列为Power MOS 7R，供应商器件封装为ISOTOPR，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
