超级J-MOS系列,N沟道增强型功率MOSFET
特征
1.导通电阻低
2.开关损耗低
3.易于使用(更多控制标签通过Rg切换dV/dt)
应用
1.不间断电源
2.服务器
3.电信
4.空调系统
5.电源
TC=25°C时的绝对最大额定值
1.漏极电源电压:Vds=600V
2.重复和非重复最大雪崩电流:IAR=6.6 A
3.非重复最大雪崩能量:EAS=472.2mJ
[…]
起订量: 189
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超级J-MOS系列,N沟道增强型功率MOSFET
特征
1.导通电阻低
2.开关损耗低
3.易于使用(更多控制标签通过Rg切换dV/dt)
应用
1.不间断电源
2.服务器
3.电信
4.空调系统
5.电源
TC=25°C时的绝对最大额定值
1.漏极电源电压:Vds=600V
2.重复和非重复最大雪崩电流:IAR=6.6 A
3.非重复最大雪崩能量:EAS=472.2mJ
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onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...