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NGTB10N60R2DT4G

  • 描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 72 W 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 516

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  • 单价: ¥8.48112
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4,376.26
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规格参数

  • IGBT型 -
  • 输入类别 标准
  • 部件状态 过时的
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 安装类别 表面安装
  • 最大整流电流 (Icm) 40 A
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 反向恢复时长 (trr) 90 ns
  • 最大集电极电流 (Ic) 20A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 10A
  • 工作温度 175摄氏度(TJ)
  • 供应商设备包装 DPAK
  • 门电荷 53 nC
  • 最大功率 72 W
  • 开关能量 412J (on), 140J (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 48ns/120ns
  • 试验条件 300V, 10A, 30欧姆, 15V

NGTB10N60R2DT4G 产品详情

NGTB10N60R2DT4G是一种N通道IGBT,用于通用逆变器、冰箱、除湿机和洗衣机。

特色

  • 安全设计
  • 高效率和高可靠性
  • 反向导通II IGBT
  • 5µs短路能力
  • 65ns高速切换
  • 90ns二极管反向恢复时间

应用

电源管理、消费电子、暖通空调、电机驱动和控制
NGTB10N60R2DT4G所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),NGTB10N60R2DT4G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NGTB10N60R2DT4G价格参考¥8.481124,你可以下载 NGTB10N60R2DT4G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NGTB10N60R2DT4G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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