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APT15GN120BDQ1G是IGBT 1200V 45A 195W TO247，包括管封装，它们设计用于to-247-3封装盒，输入类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备封装设计用于to-24 7[B]，以及195W最大功率，该器件还可以用作45A集流器Ic最大值。此外，电压集流器-发射极击穿最大值为1200V，该器件为沟槽场停IGBT型，该器件具有45A集流器脉冲Icm，最大Vce Vge Ic为2.1V@15V，15A，开关能量为410μJ（开）、950μJ（关），栅极电荷为90nC，25°C的Td为10ns/150ns，测试条件为800V、15A、4.3欧姆、15V。
APT15GF120JCU2带有用户指南，其中包括1200V电压收集器-发射器击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上工作3.7V@15V，15A Vce，数据表说明中显示了用于SOT-227的供应商设备包，该SOT-227提供156W等功率最大功能，包壳设计用于SOT-227-4、miniBLOC以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘、螺柱安装型。此外，输入电容Cies Vce为1nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT类型的NPT，集电器Ic最大值为30A，集电器截止值最大值为250μa，配置为单一。
APT15F60S是MOSFET，包括Si技术。
