9icnet为您提供由Renesas Electronics America Inc设计和生产的RJH60D1DPP-M0#T2，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。RJH60D1DPP-M0#T2参考价格237.322美元。Renesas Electronics America Inc RJH60D1DPP-M0#T2封装/规格：IGBT 600V 20A 20.8W TO220FL。您可以下载RJH60D1DPP-M0#T2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RJH60D1DPE-00#J3，带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SC-83包装箱，输入类型显示在数据表注释中，用于标准，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于4-LDPAK，以及52W最大功率，该设备也可以用作100ns反向恢复时间trr。此外，集电器Ic最大值为20A，该器件提供600V电压集电器发射极击穿最大值，该器件具有IGBT型沟槽，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V，10A，开关能量为100μJ（开）、130μJ（关），栅极电荷为13nC，25°C下的Td为30ns/42ns，测试条件为300V、10A、5欧姆、15V。
RJH60D1DPP-E0#T2带用户指南，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.5V@15V、10A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于300V、10A、5欧姆、15V，提供Td开-关25°C功能，如30ns/42ns，开关能量设计为在100μJ（开）、130μJ（关）下工作，以及TO-220FP供应商设备包，该设备也可以用作70ns反向恢复时间trr。此外，最大功率为30W，器件采用管式封装，器件具有TO-220-3全封装外壳，安装类型为通孔，输入类型为标准，IGBT类型为沟槽，栅极电荷为13nC，集流器Ic最大值为20A。
RJH60D0DPM-00#T1带电路图，包括45A集流器Ic Max，它们设计用于46nC栅极充电，数据表注释中显示了用于沟槽的IGBT类型，该沟槽提供输入类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，以及to-3PFM，SC-93-3封装盒，该设备也可以用作管封装。此外，功率最大值为40W，设备提供100ns反向恢复时间trr，设备具有供应商设备包的TO-3PFM，开关能量为230μJ（开）、290μJ（关），25°C的Td为40ns/80ns，测试条件为300V、22A、5 Ohm、15V，最大Vge Ic的Vce为2.2V@15V、22V，集电极-发射极击穿最大值为600V。
