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APT15GP60BDQ1G是IGBT 600V 56A 250W TO247，包括POWER MOS 7R系列，它们设计用于管式封装，数据表说明中显示了用于to-247-3的封装盒，该封装盒提供标准输入型功能，安装型设计用于通孔，以及to-247[B]供应商设备包，该设备也可以用作250W最大功率。此外，集电器Ic最大值为56A，该设备提供600V集电器-发射器击穿最大值，该设备具有IGBT型PT，集电器脉冲Icm为65A，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，15A，开关能量为130μJ（开），120μJ（关），栅极电荷为55nC，25°C下的Td为8ns/29ns，测试条件为400V，15A，5欧姆，15伏。
APT15GP60BG是IGBT 600V 56A 250W TO247，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在最大Vge Ic上2.7V@15V、15A Vce下工作。测试条件如数据表注释所示，用于400V、15A、5欧姆、15V，提供Td开-关25°C特性，如8ns/29ns。开关能量设计用于130μJ（开）、121μJ（关），以及TO-247[B]供应商器件包，该器件也可以用作POWER MOS 7R系列。此外，最大功率为250W，器件采用管式封装，器件具有TO-247-3封装外壳，安装类型为通孔，输入类型为标准型，IGBT类型为PT，栅极电荷为55nC，集流器脉冲Icm为65A，集流器Ic最大值为56A。
APT15GP60K是由APT制造的600V 56A 250W TO220 IGBT。APT15GG60K采用TO-220-3封装，是IGBT的一部分-单体，并支持IGBT 600V 56A 250 W TO220。
