9icnet为您提供由Renesas Electronics America Inc设计生产的RJH60D2DPP-M0#T2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。RJH60D2DPP-M0#T2参考价格$6.072。Renesas Electronics America Inc RJH60D2DPP-M0#T2封装/规格：IGBT 600V 25A 27.2W TO220FL。您可以下载RJH60D2DPP-M0#T2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RJH60D2DPE-00#J3，带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SC-83包装箱，输入类型显示在数据表注释中，用于标准，提供安装类型功能，如表面安装，供应商设备包设计用于4-LDPAK，以及63W最大功率，该设备也可以用作100ns反向恢复时间trr。此外，电流收集器Ic最大值为25A，该器件提供600V电压收集器-发射器击穿最大值，该器件具有IGBT型沟槽，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V，12A，开关能量为100μJ（开）、160μJ（关），栅极电荷为19nC，25°C下的Td为32ns/85ns，测试条件为300V、12A、5欧姆、15V。
RJH60D2DPP-M0#T2带用户指南，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.2V@15V、12A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于300V、12B、5 Ohm、15V，提供Td开-关25°C功能，如32ns/85ns，开关能量设计为在100μJ（开）、160μJ（关）下工作，以及TO-220FL供应商设备包，该设备也可以用作100ns反向恢复时间trr。此外，功率最大值为34W，器件采用管式封装，器件具有TO-220-3全封装外壳，安装类型为通孔，输入类型为标准，IGBT类型为沟槽，栅极电荷为19nC，集流器Ic最大值为25A。
RJH60D1DPP-E0#T2带电路图，包括20A集流器Ic Max，它们设计用于13nC栅极充电，IGBT类型如数据表注释所示，用于沟槽，提供输入类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，以及to-220-3全封装外壳，该设备也可用作管封装。此外，功率最大值为30W，该设备提供70ns反向恢复时间trr，该设备具有供应商设备包的TO-220FP，开关能量为100μJ（开）、130μJ（关），25°C时的Td为30ns/42ns，测试条件为300V、10A、5欧姆、15V，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V、10A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
RJH60D1DPP-M0#T2为IGBT 600V 20A 20.8W TO220FL，包括管封装，设计用于沟槽IGBT型，数据表注释中显示了用于to-220FL的供应商设备包，提供to-220-3全封装等封装盒功能，安装型设计用于通孔，以及标准输入型，该装置还可以用作70ns反向恢复时间trr。此外，集电器-发射极击穿最大值为600V，该器件提供30W功率最大值，该器件在25°C时的Td为30ns/42ns，测试条件为300V、10A、5欧姆、15V，集电器Ic最大值为20A，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V、10A，栅极电荷为13nC，开关能量为100μJ（开）、130μJ（关）。
