SPP07N65C3、SPI07N65C3 SPA07N65C CoolMOS™ 功率晶体管功能•新的革命性高压技术•超低栅极电荷•周期性雪崩额定值•极限dv/dt额定值•高峰值电流能力•改进的跨导P-TO220-3-31 1 2 3 V DS RDS（on）ID PG-TO220-3 650 0.6 7.3 VΩ A PG-TO262-3-1 PG-TO220 2 1 23 P-TO220-3-1•PG-TO-220-3：全隔离封装（2500 VAC；1分钟）SPP07N65C3型封装PG-TO20标记07N65C3 07N65C4 07N65C SPI07N65C5 SPA07N65C6最大额定值参数PG-TO262-3 PG-TO220-3符号值单位SPA SPP_I连续漏电流TC=25°C TC=100°C ID 7.3 4.6 7.31）A 4.61）脉冲漏电流，tp受Tjmax ID puls 21.9 21.9 A雪崩能量限制，单脉冲ID=1.5A，VDD=50V EAS EAR 230 230 mJ雪崩能量，重复tAR受Tjmax2限制）ID=2.5A，VDD=50V 0.5 0.5 2.5 A雪崩电流，重复tA受Tjmax栅源电压IAR VGS 2.5±20±30±20 V栅源电压AC（f>1Hz）功耗限制，TC=25°C VGS±30 Ptot 83 32 W操作和储存温度版本1.91 T j，Tstg第1页-55…+150°C 2009-07-23 SPP07N65C3，SPI07N65C3 SPA07N65C最大额定值参数符号值单位漏极电源电压斜率V DS=480 V，ID=7.3 A，Tj=125°C dv/dt 50 V/ns热特性参数符号最小值RthJC值典型值。最大单位热阻，接头–外壳热阻，接头-外壳，FullPAK热阻，接头—环境，引线热阻，接头——环境，FullPAK-SMD版本，PCB上的设备：@最小占地面积@6 cm2冷却面积3）–35 1.5 3.9 62 80 62–K/W RthJC_FP RthJA RthJA_FP Rth JA焊接温度，波峰焊距外壳1.6 mm（0.063 in.），持续10s Tsold––260°C电气特性，T j=25°C时，除非另有规定。参数符号条件最小漏极-源极击穿电压V（BR）DSS VGS=0V，ID=0.25mA漏极-漏极雪崩电压V（BR）DS VGS=0 V，ID=2.5A击穿电压栅极阈值电压零栅极电压漏极电流VGS（th）I DSS ID=350µA，VGS=VDS VDS=600V，VGS=0V，Tj=25°C Tj=150°C典型值。730 3 0.5 0.54 1.46 0.8最大值3.9单位V 650 2.1–µA 1 100 100 0.6 nAΩ 栅源漏电流I GSS VGS=20V，VDS=0V VGS=10V，ID=4.6A Tj=25°C Tj=150°C漏极开启状态电阻RDS（开启）栅输入电阻RG f=1MHz，漏极开路版本1.91第2页2009-07-23 SPP07N65C3，SPI07N65C3 SPA07N65C电气特性，Tj=20°C，除非另有规定，否则参数特性跨导输入电容输出电容反向转移电容符号条件最小值典型值。6 790 260 16 30 55 6 3.5 60 7最大值100 15单位g fs Ciss Coss Crss V DS≥2*I D*RDS（on）最大值，ID=4.6A V GS=0V，V DS=25V，f=1MHz–S pF有效输出ca〔…〕
