9icnet为您提供由Renesas Electronics America Inc设计生产的RJH60D5DPK-00#T0，在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。RJH60D5DPK-00#T0参考价格$7.51746。Renesas Electronics America Inc RJH60D5DPK-00#T0封装/规格：IGBT 600V 75A 200W TO3P。您可以下载RJH60D5DPK-00#T0英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RJH60D3DPE-00#J3，带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SC-83包装箱，输入类型显示在数据表注释中，用于标准，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于4-LDPAK，以及113W最大功率，该设备也可以用作100ns反向恢复时间trr。此外，集电器Ic最大值为35A，该器件提供600V电压集电器-发射极击穿最大值，该器件具有IGBT型沟槽，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V，17A，开关能量为200μJ（开）、210μJ（关），栅极电荷为37nC，25°C下的Td为35ns/80ns，测试条件为300V、17A、5欧姆、15V。
RJH60D3DPP-M0#T2是IGBT 600V 35A 30W TO220FL，包括600V电压集电极-发射极击穿最大值，设计为在最大Vge Ic时在2.2V@15V、17A Vce下工作，测试条件如数据表注释所示，用于300V、17B、5 Ohm、15V，提供25°C的Td开-关特性，如35ns/80ns，开关能量设计为在200μJ（开）、210μJ（关）下工作，以及TO-220FL供应商设备包，该设备也可以用作100ns反向恢复时间trr。此外，功率最大值为40W，器件采用管式封装，器件具有TO-220-3全封装外壳，安装类型为通孔，输入类型为标准，IGBT类型为沟槽，栅极电荷为37nC，集流器Ic最大值为35A。
RJH60D5BDPQ-E0#T2带电路图，包括75A集流器Ic Max，设计用于78nC栅极充电，数据表注释中显示了用于沟槽的IGBT类型，该沟槽提供输入类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作管封装。此外，功率最大值为200W，该设备提供25ns反向恢复时间trr，该设备具有供应商设备包的TO-247，开关能量为400μJ（开）、810μJ（关），25°C开/关Td为50ns/130ns，测试条件为300V、37A、5欧姆、15V，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V、37V，电压收集器-发射器击穿最大值为600V。
