9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT25GP120BG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT25GP120BG参考价格为5.76美元。微芯片技术APT25GP120BG封装/规格：IGBT 1200V 69A 417W TO247。您可以下载APT25GP120BG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT25GP120BDQ1G是IGBT 1200V 69A 417W TO247，包括POWER MOS 7R系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-247-3，以及标准输入类型，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-247[B]，该设备为单配置，该设备最大功率为417W，集电器Ic最大值为69A，集电器-发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为PT，集电器脉冲Icm为90A，最大Vge Ic上的Vce为3.9V@15V，25A，开关能量为500μJ（开），440μJ（关），栅极电荷为110nC，25°C时的Td为12ns/70ns，测试条件为600V、25A、5 Ohm、15V，Pd功耗为417W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为1.2 kV，集电极/发射极饱和电压为3.3 V，25℃时的连续集电极电流为69A，栅极-发射极漏电流为100nA，最大栅极-发射极电压为30V，连续集电极电压Ic-Max为69A。
APT25GP120B和APT制造的用户指南。APT25GP110B可在模块包中获得，是模块的一部分。
APT25GP120BDQ1，带有APT制造的电路图。APT25GP-120BDQ1可在模块包中获得，是模块的一部分。
