9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NGTB30N120FL2WG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NGTB30N120FL2WG参考价格$4.78000。onsemi NGTB30N120FL2WG封装/规格：IGBT TRENCH/FS 1200V 60A TO247。您可以下载NGTB30N120FL2WG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NGTB30N120FL2WG，带引脚细节，包括NGTB30N20FL2系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供通孔等安装类型功能，包装盒设计用于to-247-3以及标准输入类型，该设备也可以用作通孔安装类型。此外，供应商设备包为TO-247，该设备为单配置，该设备的最大功率为452W，反向恢复时间trr为240ns，集电器Ic最大值为60A，集电器-发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为沟槽场停止，集电器脉冲Icm为120A，最大Vge Ic上的Vce为2.3V@15V，30A，开关能量为2.6mJ（开），700μJ（关），栅极电荷为220nC，25°C时的Td为98ns/210ns，测试条件为600V，30A，10 Ohm，15V，Pd功耗为452W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V，集电极-发射极饱和电压为2V，25℃时的连续集电极电流为60A，栅极-发射极漏电流为200nA，最大栅极-发射极电压为30V。
带有用户指南的NGTB30N120IHRWG，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.5V@15V、30A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供600V、30A、10欧姆、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，该设备也可以用作TO-247供应商设备包。此外，该系列为NGTB30N120IHR，该设备的最大功率为384W，该设备具有384W的Pd功耗，包装为管式，包装箱为TO-247-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最低工作温度范围为-40℃，最高工作温度范围+175℃，最大栅极-发射极电压为25V，输入类型为标准型，IGBT类型为沟道场阻型，栅极-发射极漏电流为100nA，栅极电荷为225nC，集流器脉冲Icm为120A，集流器Ic Max为60A，25C下的连续集流器电流为60A，集电极-发射极电压VCEO Max为1200V，集电极-发射器饱和电压为2.2V。
带有电路图的NGTB30N120IHLWG，包括1.75 V集电极-发射极饱和电压，它们设计为在1200 V集电极电压VCEO Max下工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供25 C的连续集电极电流，如60 a，集电极Ic Max设计为在60 a下工作，以及320A集流器脉冲Icm，该器件也可以用作420nC栅极电荷。此外，栅极-发射极漏电流为200nA，该器件为沟槽场阻IGBT型，该器件具有输入型标准，最大栅极-发射极电压为20V，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为通孔，安装方式为通孔，包装箱为TO-247-3，包装为管状，Pd功耗为260 W，最大功率为260W，系列为NGTB30N120IHL，供应商设备包装为TO-247，开关能量为1mJ（关断），25°C时的Td为-/360ns，测试条件为600V、30A、10欧姆、15V，单位重量为0.229281盎司，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V、30A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
