–低集电极到发射极饱和电压
Vce（sat）=1.37 V典型值。（Ic=40A，Vge=15 V，Ta=25°C）
*内置快速恢复二极管
*沟槽栅极和薄晶圆技术
*高速切换
tr=85 ns典型值。（IC=30 A，VCE=400 V，VGE=15 V，Rg=5, Ta=25°C，感应负载）
RJH60F5DPQ-A0#T0
- 描述:IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 260.4 W 供应商设备包装: TO-247A 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥30.41066
-
数量:
- +
- 总计: ¥30.41
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 输入类别 标准
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 开关能量 -
- 集电极击穿电压 600 V
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 最大整流电流 (Icm) -
- 门电荷 -
- 最大集电极电流 (Ic) 80 A
- IGBT型 沟槽
- 反向恢复时长 (trr) 90 ns
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.8V@15V，40A
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 供应商设备包装 TO-247A
- 试验条件 400V, 30A, 5欧姆, 15V
- 最大功率 260.4 W
- 开通/关断延时 (25°C) 53ns/105ns
RJH60F5DPQ-A0#T0 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| RJH1DF7RDPQ-80#T2 | 瑞萨电子 (Renesas) | RJH1DF7 - INSULATED GATE BIPOLAR | ¥37.43703 |
| RJH1BF7RDPQ-80#T2 | 瑞萨电子 (Renesas) | RJH1BF7 - INSULATED GATE BIPOLAR | ¥41.655 |
| RJH1BF7DPQ-E0#T2 | 瑞萨电子 (Renesas) | RJH1BF7 - INSULATED GATE BIPOLAR | ¥51.44704 |
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RJH60F5DPQ-A0#T0所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），RJH60F5DPQ-A0#T0 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RJH60F5DPQ-A0#T0价格参考￥30.410663，你可以下载 RJH60F5DPQ-A0#T0中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RJH60F5DPQ-A0#T0规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
