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IGB30N60TATMA1
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IGB30N60TATMA1

  • 描述:IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 187 W 供应商设备包装: PG-TO263-3-2 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1000

数量 单价 合计
1000+ 16.92231 16922.31200
  • 库存: 0
  • 单价: ¥16.92231
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥16,922.31
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 输入类别 标准
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 最大集电极电流 (Ic) 60 A
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
  • 供应商设备包装 PG-TO263-3-2
  • IGBT型 沟槽
  • 最大整流电流 (Icm) 90 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.05V @ 15V, 30A
  • 最大功率 187 W
  • 开关能量 1.46焦耳
  • 门电荷 167 nC
  • 开通/关断延时 (25°C) 23ns/254ns
  • 试验条件 400V, 30A, 10.6欧姆, 15V

IGB30N60TATMA1 产品详情

Infineon的600 V，30 A单TRENCHSTOP™ TO263 D2Pak封装中的IGBT3由于沟槽单元和场阻概念的结合，导致器件的静态和动态性能显著提高。IGBT与软恢复发射极控制二极管的组合进一步减小了导通损耗。由于开关损耗和传导损耗之间的最佳折衷，达到了最高效率。

特色

  • 降低传导损耗的最低VCEsat压降
  • 低开关损耗
  • 由于VCEsat中的正温度系数，易于并联切换
  • 非常软、快速恢复的反并联发射极控制二极管
  • 高强度，温度稳定
  • 低EMI发射
  • 低栅极电荷
  • 非常紧密的参数分布
  • 最高效率–低传导和开关损耗
  • 600 V和1200 V的综合产品组合，设计灵活
  • 设备可靠性高

应用

潜在应用

   

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器件图
型号
制造商
描述
价格
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IGB30N60TATMA1所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），IGB30N60TATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IGB30N60TATMA1价格参考￥16.922312，你可以下载 IGB30N60TATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IGB30N60TATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！

英飞凌 (Infineon)

英飞凌 (Infineon)

1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

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