9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT3GF120LRDQ2G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT3GF120LRDQ2G参考价格25.46952美元。微芯片技术APT33F120LRDQ2G封装/规格：IGBT 1200V 64A 357W TO264。您可以下载APT3GF120LRDQ2G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APT33F120BRG是IGBT 1200V 52A 297W TO247，包括管式封装，设计用于1.340411盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247-3等封装外壳功能，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-247[B]供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供297W最大功率，该设备具有52A的电流收集器Ic Max，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，IGBT类型为NPT，电流收集器脉冲Icm为104A，最大Vge Ic上的Vce为3.2V@15V，25A，开关能量为2.8mJ（开），2.8mJ，栅极电荷为170nC，25°C时的Td为25ns/210ns，Pd功耗为297 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1.2 kV，集电极/发射极饱和电压为2.5 V，25 C时的连续集电极电流为52 A，栅极-发射极漏电流为100 nA，并且最大栅极-发射极电压为30V，并且连续集电极电流Ic-Max为52A。
APT33F120B2RDQ2G是IGBT 1200V 64A 357W TMAX，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以3V@15V、25A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于800V、25V、4.3 Ohm、15V，提供Td开-关25°C特性，如14ns/185ns，开关能量设计为1.315μJ（开）、1.515μJ，除了357W Power Max外，该设备还可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-247-3变体，该器件为通孔安装型，该器件具有输入型标准，IGBT类型为NPT，栅极电荷为170nC，集电器脉冲Icm为75A，集电器最大Ic为64A。
APT33FF120BRX带有由APT制造的电路图。APT33FC120BRX以TO-247封装形式提供，是IC芯片的一部分。
