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APT7F120B是MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247，包括卷轴封装，它们设计用于1.340411盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供POWER MOS 8等商标功能，封装盒设计用于TO-247-3，以及Si技术，该器件还可用作335 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为13 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为7 a，Vds漏极-源极击穿电压为1200 V，Vgs栅-源极阈值电压为4 V，Rds导通漏极-源极电阻为1.57欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为80nC，正向跨导最小值为8S，沟道模式为增强。
APT7M120B是MOSFET N-CH 1200V 8A TO247，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于1200 V，提供单位重量功能，如1.340411 oz，典型开启延迟时间设计为14 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为POWER MOS 8，该器件采用Si技术，器件的上升时间为8纳秒，漏极-源极电阻Rds为1.5欧姆，Qg栅极电荷为80 nC，Pd功耗为335 W，包装为卷轴式，包装盒为TO-247-3，安装方式为通孔式，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为8A，正向跨导最小值为8S，下降时间为13ns，信道模式为增强。
APT7F80K是MOSFET N-CH 800V 7A TO-220，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了10 ns的下降时间，提供了Id连续漏极电流特性，如7 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该设备也可以用作1信道数信道。此外，Pd功耗为225 W，器件提供43 nC Qg栅极电荷，器件具有1.5欧姆Rds漏极-源极电阻，上升时间为11 ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为33 ns，典型接通延迟时间为8 ns，Vds漏极源极击穿电压为800 V，并且Vgs栅极-源极电压为+/-30V，并且Vgs第二栅极-源阈值电压为2.5V。
