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APT40GP60JDQ2是IGBT 600V 86A 284W SOT227，包括POWER MOS 7R系列，它们设计用于SOT-227-4微型BLOC封装外壳，安装类型如数据表注释所示，用于底盘安装，提供供应商设备封装功能，如ISOTOPR，输入设计用于标准，以及单配置，该器件还可以用作284W功率最大值。此外，集电器Ic最大值为86A，该器件提供600V电压集电器-发射器击穿最大值，该器件具有500μa的集电器截止最大值，IGBT类型为PT，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，40A，输入电容Cies Vce为4.61nF@25V，NTC热敏电阻为No。
APT40GP60J是Microsemi制造的IGBT模块绝缘栅双极晶体管-PT功率MOS 7-单体。APT40GP60J以TO封装形式提供，是IGBT模块的一部分，并支持IGBT模块绝缘栅双极晶体管-PT功率MOS 7-单跨IGBT芯片N-CH 600V 86A 284000mW 4引脚SOT-227。
APT40GP60LDF3带有由APT制造的电路图。APT40GPS60LDF3采用TO3PL封装，是IC芯片的一部分。
