9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FGA30T65SHD，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FGA30T65SHD价格参考1.75000美元。onsemi FGA30T65SHD封装/规格：IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN。您可以下载FGA30T65SHD英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FGA30N65SMD带有引脚细节，包括管封装，设计用于0.225789盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-3P-3、SC-65-3等封装外壳功能，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该设备也可作为to-3P供应商设备包使用。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为300W，该设备具有35ns的反向恢复时间trr，集电器Ic最大值为60A，集电器发射极击穿最大值为650V，IGBT类型为场停止，集电器脉冲Icm为90A，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V，30A，开关能量为716μJ（开），208μJ（关），栅极电荷为87nC，25°C时的Td为14ns/102ns，测试条件为400V、30A、6 Ohm、15V，Pd功耗为300W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为650 V，集电极/发射极饱和电压为2.29 V，25℃时的连续集电极电流为60A，栅极发射极漏电流为400nA，最大栅极发射极电压为+/-20V，连续集电极电压Ic-Max为30A。
FGA30S120P是IGBT 1300V 60A 348W TO3P，包括1300V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.3V@15V、30A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.225789盎司，提供to-3P等供应商设备包功能，功率最大值设计为348W，以及174 W Pd功耗，该装置也可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-3P-3、SC-65-3，该器件采用通孔安装型，该器件具有安装型通孔，其最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+175℃，最大栅极发射极电压为25 V，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽场阻型，并且栅极-发射极漏电流为500nA，栅极电荷为78nC，集电极脉冲Icm为150A，集电极Ic Max为60A，连续集电极电流Ic Max是60A，25℃时的连续集电极电压为60A；并且配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为1300V，集电极发射极饱和电压为2.3V。
FGA30N60RUFD，带有FAIRCHILD制造的电路图。FGA30N60RUFD采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分。
