9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FGH40T65SH-F155，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FGH40T65SH-F155参考价格为25.536美元。onsemi FGH40T65SH-F155封装/规格：IGBT 650V 80A 268W TO-247-3。您可以下载FGH40T65SH-F155英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FGH40T120SMDL4带有引脚细节，包括管封装，其设计为采用通孔安装方式操作，数据表注释中显示了用于to-247-4的封装盒，该封装盒提供标准等输入类型功能，安装类型设计为在通孔中工作，以及to-247-4L供应商设备包，该设备也可作为单配置使用。此外，功率最大值为555W，该器件提供65ns反向恢复时间trr，该器件具有80A的集流器Ic Max，集流器-发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为沟槽场阻，集流脉冲Icm为160A，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，40A，开关能量为2.24mJ（开），1.02mJ（关），栅极电荷为370nC，25°C时的Td为44ns/446ns，测试条件为600V、40A、10 Ohm、15V，Pd功耗为555 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1.2 kV，集电极/发射极饱和电压为1.8 V，25℃时的连续集电极电流为80A，栅极发射极漏电流为+/-400nA，最大栅极发射极电压为+/-25V，持续集电极电流Ic-Max为40A。
FGH40T120SMD是IGBT 1200V 80A 555W TO247-3，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在2.4V@15V、40A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.225401盎司，提供600V、40A、10欧姆、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，1.1mJ（关断）开关能量，该装置也可用作TO-247供应商装置包。此外，反向恢复时间trr为65ns，该设备的最大功率为555W，该设备具有555W的Pd功耗，包装为管式，包装箱为TO-247-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+175℃，最大栅极-发射极电压为+/-25 V，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽场阻型，栅极-发射极漏电流为+/-400 nA，栅极电荷为370nC，集流器脉冲Icm为160A，集流器Ic Max为80A，25 C时的连续集流器电流为80A，集电极-发射极电压VCEO Max为1200V，集电极-发射器饱和电压为1.8V。
FGH40T120SMD_F155带有电路图，包括80A集流器Ic Max，它们设计用于160A集流脉冲Icm，栅极电荷如数据表注释所示，用于370nC，提供IGBT类型功能，如沟槽场阻，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，包装为管式，设备提供555W最大功率，设备具有65ns的反向恢复时间trr，供应商设备包装为TO-247，开关能量为2.7mJ（开）、1.1mJ（关），25°C时的Td为40ns/475ns，测试条件为600V、40A、10 Ohm、15V，最大Vge Ic为2.4V@15V、40A，电压收集器-发射极击穿最大值为1200V。
