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FGAF30S65AQ
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FGAF30S65AQ

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 83 W 供应商设备包装: TO-3PF-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 0
  • 单价: ¥21.03992
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥21.04
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规格参数

  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 部件状态 过时的
  • 最大集电极电流 (Ic) 60 A
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 包装/外壳 TO-3P-3全套
  • 最大整流电流 (Icm) 90 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 30A
  • 门电荷 58 nC
  • 最大功率 83 W
  • 供应商设备包装 TO-3PF-3
  • 开关能量 515J (on), 140J (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 18ns/92ns
  • 试验条件 400V, 15A, 13欧姆, 15V
  • 反向恢复时长 (trr) 267 ns

FGAF30S65AQ 产品详情

FGAF40N60UFTU是一种PT IGBT,提供低导通和开关损耗。UF系列设计用于一般逆变器和PFC等需要高速开关的应用。

特色

  • 高速切换
  • 高输入阻抗
  • 2.3V@IC=20A低饱和电压

应用

  • 运动控制-家用电器
FGAF30S65AQ所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),FGAF30S65AQ 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FGAF30S65AQ价格参考¥21.039915,你可以下载 FGAF30S65AQ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FGAF30S65AQ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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