9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NGTB15N120FLWG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NGTB15N120FLWG参考价格为4.08000美元。onsemi NGTB15N120FLWG封装/规格：IGBT 1200V 15A TO247-3。您可以下载NGTB15N120FLWG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NGTB10N60R2DT4G，带引脚细节，包括Digi-ReelR替代包装包装，设计用于0.012346盎司单位重量的操作，安装类型如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63等封装盒功能，输入类型设计用于标准，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作DPAK供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为72W，该设备具有90ns的反向恢复时间trr，集电极Ic最大值为20A，集电极-发射极击穿最大值为600V，集电极脉冲Icm为40A，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，10A，开关能量为412μJ（开），140μJ（关），栅极电荷为53nC，25°C时的Td为48ns/120ns，测试条件为300V、10A、30Ohm、15V，Pd功耗为72W，最大工作温度范围为+175 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.7 V，25 C时的连续集电极电流为20 A，栅极-发射极漏电流为+/-100 nA，并且最大栅极-发射极电压为+/-20V，并且连续集电极电流Ic-Max为10A。
带有用户指南的NGTB15N120FL2WG，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.4V@15V、15A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，适用于600V、15A、10 Ohm、15V，提供Td开-关25°C特性，如64ns/132ns，开关能量设计为在1.2mJ（开）、370μJ（关）下工作，以及TO-247-3供应商设备包，该设备也可以用作110ns反向恢复时间trr。此外，功率最大值为294W，该器件采用管式封装，该器件具有TO-247-3封装外壳，安装类型为通孔，输入类型为标准，IGBT类型为沟槽场阻，栅极电荷为109nC，集流器脉冲Icm为60A，集流管Ic最大值为30A。
带有电路图的NGTB10N60FG，包括20A集流器Ic Max，它们设计为与72A集流器脉冲Icm一起工作，数据表注释中显示了用于55nC的栅极电荷，该55nC提供输入型功能，如标准，安装型设计用于通孔，以及to-220-3全封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，功率最大值为40W，设备提供70ns反向恢复时间trr，设备具有NGTB10N60FG系列，供应商设备包为TO-220F-3FS，25°C时的Td为40ns/145ns，测试条件为300V、10A、30 Ohm、15V，最大Vge Ic上的Vce为1.7V@15V、10A，电压收集器-发射器击穿最大值为600V。
