9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXBH14N250，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXBH14N250价格参考2.782美元。IXYS IXBH14N250封装/规格：IGBT 2500V TO247AD。您可以下载IXBH14N250英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXBH10N170是IGBT 1700V 20A 140W TO247AD，包括BIMOSFET？系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装样式功能，如通孔，商品名设计用于BIMOSFET，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作标准输入类型。此外，安装类型为通孔，该设备在TO-247AD（IXBH）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，最大功率为140W，反向恢复时间trr为360ns，电流收集器Ic最大值为20A，电压收集器-发射器击穿最大值为1700V，电流收集器脉冲Icm为40A，最大Vge Ic上的Vce为3.8V@15V，10A，开关能量为6mJ（关），栅极电荷为30nC，25°C时的Td为35ns/500ns，测试条件为1360V、10A、56欧姆、15V，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1700 V，集电极/发射极饱和电压为2.3 V，并且最大栅极-发射极电压为20V，并且连续集电极电流Ic-Max为20A。
IXBH12N300是IGBT 3000V 30A 160W TO247，包括3000V集电极-发射极击穿最大值，它们设计用于3.2V@15V，12A Vce on Max Vge Ic，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供BIMOSFET等商品名功能，技术设计用于Si，以及to-247AD（IXBH）供应商设备包，该器件也可以用作BIMOSFET？系列此外，反向恢复时间trr为1.4μs，该器件的最大功率为160W，该器件具有一个封装管，封装盒为TO-247-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，输入类型为标准，栅极电荷为62nC，集电器脉冲Icm为100A，集电器Ic最大值为30A。
带有电路图的IXBH10N300HV，包括34A集电器Ic Max，它们设计为与88A集电器脉冲Icm一起工作，数据表注释中显示了用于46nC的栅极电荷，该46nC提供输入类型功能，如标准，安装类型设计为表面安装，以及to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，该装置也可以用作管包装。此外，最大功率为180W，器件提供1.6μs反向恢复时间trr，器件具有BIMOSFET？供应商设备包为TO-263，25°C时的Td为36ns/100ns，测试条件为960V、10A、10欧姆、15V，最大Vge Ic的Vce为2.8V@15V、10A，集电极-发射极击穿最大值为3000V。
