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NGTB05N60R2DT4G

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 开关能量 -
  • 开通/关断延时 (25°C) -
  • 试验条件 -
  • 集电极击穿电压 -
  • 最大集电极电流 (Ic) -
  • 最大整流电流 (Icm) -
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) -
  • 最大功率 -
  • 输入类别 -
  • 门电荷 -
  • 工作温度 -
  • 安装类别 -
  • 包装/外壳 -
  • 供应商设备包装 -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)

NGTB05N60R2DT4G 产品详情

NGTB05N60R2DT4G是一种600V、8A、N沟道IGBT。

特色

  • 5μs短路能力
  • 安全设计
  • 高功耗/Tjmax=175°C
  • 高可靠性
  • 低饱和电压:VCE(sat)=1.65V(典型值)[IC=5A,VGE=15V]高速开关:tf=95ns(典型值
  • 高效率
  • 反向传导II IGBT
  • 二极管VF=1.5V(典型值)[IF=5A]
  • 二极管trr=70ns(典型值)

应用

  • 通用逆变器/电机
  • 冰箱
  • 水泵
  • 洗衣机
  • 除湿机
NGTB05N60R2DT4G所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),NGTB05N60R2DT4G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NGTB05N60R2DT4G价格参考¥5.496441,你可以下载 NGTB05N60R2DT4G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NGTB05N60R2DT4G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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