600 V,35 A IGBT,具有TO-247封装中的超快和超软恢复二极管。
特色
- 低VCE(on)沟槽IGBT技术
- 低开关损耗
- 最高结温175°C
- 5µs短路SOA
- 方形RBSOA
- 100%的部件经过ILM测试
- 正VCE(开)温度系数
- 更严格的参数分布
- 无铅
- 广泛应用中的高效率
- 由于低VCE(ON)和低开关损耗,适用于宽范围的开关频率
- 坚固的瞬态性能提高了可靠性
- 并联运行时的良好均流
应用
- 电机控制和驱动
- 太阳能系统解决方案
- 不间断电源(UPS)
- 工业加热和焊接
起订量: 1
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600 V,35 A IGBT,具有TO-247封装中的超快和超软恢复二极管。
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。