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IHW25N120R2FKSA1
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IHW25N120R2FKSA1

  • 描述:IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 365 W 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 159

  • 库存: 10
  • 单价: ¥12.96696
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,061.75
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规格参数

  • 输入类别 标准
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 部件状态 过时的
  • 集电极击穿电压 1200伏
  • 试验条件 600V, 25A, 10欧姆, 15V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • IGBT型 NPT
  • 最大集电极电流 (Ic) 50 A
  • 最大整流电流 (Icm) 75 A
  • 供应商设备包装 PG-TO247-3-1
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.8V@15V，25A
  • 最大功率 365 W
  • 开关能量 1.59焦耳
  • 门电荷 60.7 nC
  • 开通/关断延时 (25°C) -/324纳秒

IHW25N120R2FKSA1 产品详情

Infineon TrenchStop IGBT晶体管，1100至1600V

英飞凌的一系列IGBT晶体管，集电极-发射极电压额定值为1100至1600V，采用TrenchStop™ 技术该系列包括具有集成高速、快速恢复反并联二极管的器件。

•集电极-发射极电压范围1100至1600V
•非常低的VCEsat
•低关断损耗
•短尾电流
•低EMI
•最高结温175°C

特色

  • 一流的VCEsat和Vf具有卓越的效率
  • 最低开关损耗
  • 稳定温度行为
  • 软电流关断波形
  • 高击穿电压
  • SOA上的电流尖峰电阻
  • 最低功耗
  • 更好的热管理
  • 降低散热器、冷却和EMI过滤的成本
  • 最高的设备安全性和可靠性
  • 降低系统成本
  • 一流的性能和具有竞争力的价格

应用

潜在应用

                

 

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器件图
型号
制造商
描述
价格
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IHW25N120R2FKSA1所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），IHW25N120R2FKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IHW25N120R2FKSA1价格参考￥12.966964，你可以下载 IHW25N120R2FKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IHW25N120R2FKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！

英飞凌 (Infineon)

英飞凌 (Infineon)

1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

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